TEM氮化硅膜窗格-苏州原位芯片

原位芯片生产的TEM氮化硅膜窗格由先进的微电子工艺打造，可用于微纳米样品高分辨电镜观测。此款窗格为3mm外径的八边形，适用于所有TEM样品杆，为适用于多种实验条件，原位芯片为科研人员提供了单窗格，多窗格及微孔窗格三种标准产品。氮化硅膜采用低应力技术（＜250MPa），氮化硅膜薄透且不易破损，非常适合于前沿的生物、材料、物理、化学等方面的研究。

产品特点

超洁净

100级洁净环境

严格选用硅衬底材料

先进的工艺水平

高强度

薄膜应力<250Mpa

薄膜最薄可至10nm

窗口大小可至2cm

超平整

粗糙度低于0.5nm

均匀性优于5%

理化稳定性优良

耐酸（氢氟酸除外），耐碱，耐有机溶剂

易使用等离子体清洗

强流电子束耐受

技术参数

外框项目	参数	外框项目	参数
材料	N型硅	电阻率	1~10Ω-cm
氮化硅膜参数	参数	氮化硅膜参数	参数
材料	LPCVD 氮化硅薄膜	应力	<250MPa
介电常数	6-7	介电强度	10（10⁶ V/cm ）
电阻率	10¹⁶Ω-cm	粗糙度（Ra)	0.28±5%nm
杨氏模量	270GPa	粗糙度(Rms)	0.40±5%nm

应用范围

纳米材料，半导体材料，光学晶体材料，功能薄膜材料

胶体，气凝胶，有机材料和纳米颗粒的表征实验

含碳样品分析（光阻剂，聚合物，食品，油品，燃料等）

作为生物、细胞载体

产品规格

—— TEM单窗格氮化硅膜 ——

衬底200um厚， 3mm直径标准TEM氮化硅窗

产品编号	膜厚	窗口尺寸	立即购买
SG010Z	10nm	0.10×0.10mm
SG015Z	10nm	0.15×0.15mm
SG025Z	10nm	0.25×0.25mm
SG050Z	10nm	0.50×0.50mm
SG025A	15nm	0.25x0.25mm
SG050A	15nm	0.5x0.5mm
SG100A	15nm	1x1mm
SG025B	30nm	0.25x0.25mm
SG050B	30nm	0.5x0.5mm
SG100B	30nm	1x1mm
SG025C	50nm	0.25x0.25mm
SG050C	50nm	0.5x0.5mm
SG100C	50nm	1x1mm
SG050D	100nm	0.5x0.5mm
SG025E	200nm	0.25x0.25mm
SG050E	200nm	0.5x0.5mm
每盒包含10枚芯片

—— TEM多窗格氮化硅膜 ——

多窗口阵列，衬底200um厚， 3mm直径标准TEM氮化硅窗格

产品编号	膜厚	窗口尺寸	窗口数	窗口间距	立即购买
AR010Z	10nm	0.1x0.1mm	9	0.35nm
AR010A	15nm	0.1x0.1mm	9	0.35mm
AR010B	30nm	0.1x0.1mm	9	0.35mm
AR010C	50nm	0.1x0.1mm	9	0.45mm
TA015A	15nm	0.1x1.5mm	2	0.45mm
TA015C	50nm	0.1x1.5mm	2	0.45mm
每盒包含10枚芯片

—— TEM微孔氮化硅膜 ——

微孔阵列，衬底200um厚， 3mm直径标准TEM氮化硅窗格

产品编号	膜厚	窗口尺寸	孔径	阵列	孔心间距	立即购买
ME050B	30nm	0.5x0.5mm	2.8µm	45x45	10µm
ME050C	50nm	0.5x0.5mm	2.0µm	45x45	10µm
ME050C10	50nm	0.5x0.5mm	10µm	32x32	15µm
ME050E05	200nm	0.5x0.5mm	5µm	49x49	10µm
每盒包含10枚芯片

—— TEM纳米孔氮化硅膜 ——

微孔阵列，衬底200um厚， 3mm直径标准TEM氮化硅窗格

产品编号	膜厚	窗口尺寸	孔径	阵列	孔心间距	立即购买
NE005C10	50nm	50×50µm	1.0µm	15x15	2.0um
NE050C10	50nm	0.5x0.5mm	1.0µm	15x15x4	5.0µm
NE005E10	200nm	50×50µm	1.0µm	15x15	2.0µm
NE050E10	200nm	0.5x0.5mm	1.0µm	15x15x4	5.0µm
每盒包含10枚芯片

文档下载

TEM氮化硅膜取用指导.pdf

TEM氮化硅膜技术参数表.pdf